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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

BSR92P L6327 

产品描述

MOSFET P-CH 250V 0.14A

内部编号

173-BSR92P-L6327

生产厂商

Infineon Technologies

infineon

#1

数量:9
1+¥3.7607
10+¥2.5299
100+¥1.4086
1000+¥1.0257
3000+¥0.8889
24000+¥0.759
45000+¥0.7316
99000+¥0.6838
最小起订量:1
美国加州
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BSR92P L6327产品详细规格

规格书 BSR92P L6327 datasheet 规格书
BSR92P
BSR92P L6327 datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
FET 型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 250V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 140mA
Rds(最大)@ ID,VGS 11 Ohm @ 140mA, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 1V @ 130µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 4.8nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 109pF @ 25V
功率 - 最大 500mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 PG-SC-59
包装材料 Tape & Reel (TR)
FET特点 Logic Level Gate
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 140mA (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 1V @ 130µA
漏极至源极电压(Vdss) 250V
标准包装 3,000
供应商设备封装 PG-SC-59
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 11 Ohm @ 140mA, 10V
FET型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 500mW
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
输入电容(Ciss ) @ VDS 109pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 4.8nC @ 10V
工厂包装数量 3000
产品种类 MOSFET
晶体管极性 P-Channel
配置 Single
源极击穿电压 +/- 20 V
连续漏极电流 0.14 A
系列 BSR92
安装风格 SMD/SMT
RDS(ON) 11000 mOhms
功率耗散 500 mW
最低工作温度 - 55 C
典型关闭延迟时间 75 ns
零件号别名 BSR92PL6327HTSA1 SP000265408
上升时间 6.3 ns
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 250 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 6.3 ns
Continuous Drain Current Id :-140mA
Drain Source Voltage Vds :-250V
On Resistance Rds(on) :8ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :-10V
Threshold Voltage Vgs :-1.5V
功耗 :500mW
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SC-59
No. of Pins :3
MSL :MSL 1 - Unlimited
工作温度范围 :-55°C to +150°C
Weight (kg) 0.000032
Tariff No. 85044090

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